Spoločnosť Samsung LSI v súčasnosti vyrába model Snapdragon 820 spoločnosti Qualcomm na svojom uzle 14nm LPP FinFET s druhým genom a vyzerá to, že juhokórejská spoločnosť uzavrela kontrakt aj na budúci rok 10nm Snapdragon 830. To je podľa kórejských ET News, v ktorých sa uvádza, že SoC sa použije v Galaxy S8. Spoločnosť Samsung si pravdepodobne zachová rovnakú stratégiu, akú použila pre hrany Galaxy S7 a S7, pričom americké modely sú poháňané modelom Snapdragon 830, zatiaľ čo globálna verzia spúšťa nadchádzajúce Exynos 8895.
Rovnako ako model Snapdragon 830, aj interný Samsung Exynos 8895 bude založený na 10nm výrobnom procese. Spoločnosť ET News taktiež píše, že Qualcomm a Samsung pracujú na vývoji technológie FoPLP (Fan-out Panel Level Package), ktorá eliminuje potrebu dosky plošných spojov pre substrát obalu, ktorý sa bude používať v zariadeniach Snapdragon 830 a Exynos 8895.
Nevieme veľa o ani SoC, ale vyzerá to, že Samsung sa snaží zasiahnuť oveľa vyššie frekvencie posunutím na 10nm. Únik z Exynos 8895 z augusta naznačuje, že spoločnosť Samsung zasiahla 4GHz vo svojom vlastnom jadre Mongoose a 2, 7 GHz v jadre Cortex A53. Bude zaujímavé vidieť, aký výkon sa Qualcomm dosiahne implementáciou procesora Kryo.
