Logo sk.androidermagazine.com
Logo sk.androidermagazine.com

Spoločnosť Samsung predstaví v roku 2019 úložisko UF 3.0; Spustenie lpddr5 v roku 2020

Anonim

Na samite Qualcomm na 4G / 5G v Hongkongu vedúci spoločnosti Samsung v oblasti plánovania produktov mobilnej pamäte Jay Oh odhalil, že ďalšia vlna produktov Unified File Storage (UFS) sa začne v prvej polovici roku 2019.

UFS 3.0 bude k dispozícii v 128 GB, 256 GB a 512 GB variantoch úložného priestoru. Ak hľadáte ešte viac úložného priestoru, spoločnosť Micron uviedla, že prvá vlna telefónov s interným úložným priestorom 1 TB bude uvedená na trh v roku 2021. Smartisan R1 prichádza s celkovým ukladacím priestorom 1 TB, je však pravdepodobné, že konkrétne zariadenie používa dva pamäťové moduly s kapacitou 512 GB. Prvý integrovaný 1TB modul bude predstavený v roku 2021.

Pokroky vo výrobe 3D NAND umožňujú výrobcom pamäte zvýšiť hustotu úložného priestoru pri zachovaní rovnakej stopy. Systém UFS 3.0 je nastavený na dramatické zvýšenie výkonu, pričom spoločnosť Samsung ponúkla dvojnásobné zvýšenie šírky pásma pamäte. UFS 2.1 je v súčasnosti štandardom pre ukladanie flash v mobilnom priestore, takže bude zaujímavé zistiť, čo ponúka UFS 3.0.

Spoločnosti Samsung a Micron sú spolu s riešeniami ukladania údajov tiež pripravené uviesť na trh LPDDR5 v roku 2020. Spoločnosť Samsung uvádza, že v roku 2020 začne sériová výroba, pričom LPDDR5 bude poskytovať oveľa väčšiu šírku pásma - v rozsahu od 44 GB / s do 51, 2 GB / s - a zároveň zníži spotrebu energie o 20%.

Keď bude budúci rok 5G zaradený do hlavného prúdu, je potrebný rýchlejší štandard pre ukladanie dát, ktorý uľahčí novú škálu skúseností, ktoré sa začnú zverejňovať, a UFS 3.0 je v popredí tejto zmeny. Spoločnosť Qualcomm spolupracuje s mnohými partnermi pri uvádzaní zariadení s podporou 5G na trh a spoločnosť Samsung sa obracia na svoju firmu Exynos s vlastným 5G modemom. Spoločnosť Huawei pracuje aj na svojom vlastnom riešení pre 5G a spoločnosť 5G, ktorá debutuje spolu s UFS 3.0, sa v roku 2019 bude na čo tešiť.